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ついに製品化が始まったスピン注入メモリ

次世代不揮発性メモリの有力候補とされる「スピン注入メモリ(STT-RAM:Spin Transfer Torque RAM)」の製品化が始まった。STT-RAMは磁気メモリ(MRAM:Magnetoresistive Random Access Memory)の一種で、DRAMと同等の高速性と記憶容量を実現可能であるとともに、電源を切ってもデータが消えない性質(不揮発性)を有する。

ついに製品化が始まったスピン注入メモリ

このあたりは勉強不足でまったくわからない世界になってしまったのでメモ代わりに記事化。

2012年11月12日に、MRAMの代表的な量産販売会社である米国のEverspin Technologiesは、STT-RAMのサンプルを一部顧客に出荷中であると発表した。

ということで製品として市場に出てくるようです。

スピン注入メモリですが、これは電子のスピン(自転)による磁気モーメントを利用して磁化反転を起こすメモリのようです。従来版からの改良点やこのメリットについてはリンク先記事を読んでみてください。

で、とりあえずはDRAMの置き換えとしてSSDのキャッシュメモリとして利用されそうです。

明確にDRAMの置き換えを狙ってきたとみなせる。最初に想定される用途は、SSD(Solid State Drive)のキャッシュメモリだろう。現在のところ、SSDのキャッシュメモリには主にDRAMが使われている。DRAMがキャッシュの場合はSSDの電源を切るときに、DRAM内部のデータをSSDのストレージ部分、すなわちNANDフラッシュメモリに素早く格納しなければならない。このためデータ格納を完了するまで電源電圧を維持するための工夫が必要となる。MRAMあるいはSTT-RAMをキャッシュメモリにすると、キャッシュにデータを残したままで電源を切れる。電源電圧を維持するための回路や部品などが不要になるので、設計が簡素になる。

不慮の電源断はあり得る話なのでSTT-RAMに置き換わる、というのはよい方向ですね。

さて、今後はどうなるかというと、

今後は、記憶容量の大容量化を進める。2011年8月にEverspin Technologiesが示したSTT-RAMの開発ロードマップによると、1Gbitの容量は開発目標に入っている。実用的には、DRAMを置き換えるためには1Gbit以上の容量は必須だろう。例えば東芝と韓国SK HynixのSTT-RAM共同開発プロジェクトでは、最初の製品(シリコンダイベース)の容量を4Gbitとしている。東芝らが考えているサンプル出荷の時期は、2013年末が目標である。


サンプル出荷が2013年末、ってことは2014年に実用的な大容量版が出てくるって感じでしょうか。でも2013年にも次世代不揮発性メモリの進化は感じられるようで、

現在の方向性は、STT-RAMがDRAM代替、PCMがNORフラッシュメモリ代替、ReRAMがNANDフラッシュメモリ代替である。これにフラッシュマイコンの置き換えが加わる。2013年に向けて、次世代不揮発性メモリの開発はさらに活発になりそうだ。

ということでよくわかんないけど不揮発性メモリの分野はすごいことになっているみたいです。

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このページは、nagasawaが2012年11月27日 16:04に書いたブログ記事です。

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