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Samsungが発表した「V-NAND」フラッシュメモリ

Samsungがついに「3D NAND」を発表した。3D NANDは、メモリのセルを、3D立体に積み重ねることで大容量化した新しいNANDフラッシュメモリだ。

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュの時代が明ける - PC Watch

Samsungは、同社の3D NAND製品「V-NAND」の第1弾として128G-bit(16GB)チップの量産を開始した。

うーむ、世界初の量産化は東芝にがんばって欲しかったのですがサムソンに先をこされてしまい残念です。

さらに、Samsungは、ワンチップで1T-bit(128GB)までの3D NANDのロードマップも示した。3D NAND化によって、NANDフラッシュの大容量化のペースが速まり、容量の上限も大幅に上がる。

ワンチップで1T-bit(128GB)が現実的になってまいりました。

しかし、3D積層化による変化は、NANDフラッシュの世界に留まらない。コンピュータや半導体製造機器など多くの分野に波及する。

今後の世界がどのように変わっていくかというと、

(1)3D NAND化によって鈍化していたNANDフラッシュの大容量化が再び推進される。

(2)NANDのビット単価の低下が速まることでSSDの大容量化が進み、ノートPCとデータセンターのディスクレス化に拍車がかかる。

(3)データセンターのNAND化によりIOPSが大幅に改善されることでビッグデータ対応が進む。

(4)NANDメーカーは揃って3D NANDへと向かうが、技術的に追従できないメーカーはふるい落とされる可能性が出る。

(5)ReRAMなどポストNANDを狙う新メモリ技術は、3D NANDによってNANDの置き換えが遠のく。そのため、NANDを補完する役割への浸透を狙うことになる。

(6)NANDが大容量化の方向を微細化から積層化に転じ始めたことで、プロセス微細化の牽引力が弱まり、半導体機器への需要が変わる。

ということで今後のコンピューティング環境の変化が楽しみです。

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このページは、nagasawaが2013年8月19日 19:25に書いたブログ記事です。

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